- 產(chǎn)品詳情
Infineon英飛凌P 溝道 MOSFET 采用空穴流作為載流子，其遷移率小于 N 溝道 MOSFET 中的電子流。就功能而言，二者的主要區(qū)別在于 P 溝道 MOSFET 需要從柵極到源極的負(fù)電壓 (VGS) 才能導(dǎo)通，而 N 溝道 MOSFET 則需要正 VGS 電壓。這使得 P 溝道 MOSFET 成為高邊開關(guān)的理想之選。器件設(shè)計(jì)簡潔，有利于在有限空間內(nèi)打造低壓驅(qū)動(dòng)應(yīng)用和非隔離 POL 產(chǎn)品。P 溝道 MOSFET 特性的一大優(yōu)勢在于可簡化柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)，這通常可降低整體成本。
英飛凌提供從-12 V到-250 V各種電壓等級的P溝道功率MOSFET。P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET為設(shè)計(jì)者提供了一種新的選擇，可以在優(yōu)化性能的同時(shí)簡化電路設(shè)計(jì)，有-60 V 、-100 V，以及-200 V和-250 V P溝道MOSFET。P溝道器件的主要優(yōu)勢是降低了中、低功率應(yīng)用的設(shè)計(jì)復(fù)雜性。英飛凌的-12 V P溝道MOSFET和-20 V P溝道MOSFET提供了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的表貼功率封裝，而-30 V P溝道MOSFET和-40 V P溝道MOSFET則經(jīng)過優(yōu)化，可從分銷商合作伙伴處獲得最廣泛的供應(yīng)支持。
P溝道功率MOSFET，包括P溝道MOSFET-12V系列，非常適用于電池保護(hù)、反極性保護(hù)、線性電池充電器、負(fù)載開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和低壓驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。P溝道MOSFET，如P溝道MOSFET-30V系列，通常用于消費(fèi)電子產(chǎn)品，如筆記本、手提電腦、手機(jī)和PDA。
可用的封裝包括D2PAK、DPAK、 DirectFET, IPAK, I2 PAK, PQFN, SOT-223, TO-220, TO-247, SOT-23, TSOP-6, 和SuperSO8等等。瀏覽我們的產(chǎn)品列表，找到高度創(chuàng)新的完整P溝道MOSFET產(chǎn)品清單，包括我們的 OptiMOS?產(chǎn)品系列，電壓范圍涵蓋-12 V至-250 V。
30V單P溝道StrongIRFET?功率MOSFET，采用DirectFET? MX封裝
StrongIRFET?功率MOSFET系列針對低R進(jìn)行了優(yōu)化DS(開)和高電流能力。這些器件非常適合需要高性能和耐用性的低頻應(yīng)用。全面的產(chǎn)品組合適用于廣泛的應(yīng)用，包括直流電機(jī)、電池管理系統(tǒng)、逆變器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
特征描述：
針對分銷合作伙伴提供最廣泛的可用性進(jìn)行了優(yōu)化
符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品認(rèn)證
高額定電流
雙面冷卻能力
封裝高度低：0.7mm
低寄生 (1-2 nH) 電感封裝
100%無鉛(無RoHS豁免)
優(yōu)勢：
分銷合作伙伴的廣泛可用性
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)資質(zhì)等級
高載流能力
最佳熱性能
緊湊的外形
高效率
環(huán)保
應(yīng)用：
電源管理功能
電機(jī)控制車載充電器
直流-直流
消費(fèi)者
參數(shù)：
| Parametrics | IRF9383M |
ID (@25°C) max | -160 A |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
Ptot max | 113 W |
Ptot (@ TA=25°C) max | 2.1 W |
Package | DirectFET(M) |
Polarity | P |
QG (typ @4.5V) | 67 nC |
Qgd | 29 nC |
RDS (on) (@4.5V) max | 4.8 m? |
RDS (on) (@10V) max | 2.9 m? |
RthJC max | 1.1 K/W |
Tj max | 150 °C |
VDS max | -30 V |
VGS(th) min max | -1.8 V -1.3 V -2.4 V |
VGS max | 20 V |
