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  440LS10-R陶瓷盤EMI抑制電容器VISHAY 2024-07-09 09:12:49

  440LS10-R 是一款由VISHAY生產的高性能陶瓷盤EMI抑制電容器，符合IEC 60384-14標準，濕度等級為IIIB。具有高可靠性、徑向引線、高電容值可達20 nF，適用于交流電路中的安全應用。主要用于X1, Y1類電容器，線路到線路和線路到地過濾，以及開關電源中的耦合應用。陶瓷盤結構，兩側銀鍍層，引線采用鍍錫銅線，直徑0.81毫米，間距9.5毫米。電容范圍10 pF到20 nF，額定電壓X1類760 VAC，Y1類500 VAC，介電強度工廠測試4000 VAC，絕緣電阻最小1000 MΩ，損耗因子最大2.0%，使用溫度范圍-30 °C到+125 °C。

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  Microsemi 2N6782 N溝道MOSFET場效應晶體管 2025-05-08 09:04:36

  Microsemi 2N6782是一款N溝道MOSFET，具有100V漏源電壓(Vds)和±20V柵源電壓(Vgs)的耐壓能力，在25°C時連續漏極電流達3.5A（100°C時為2.25A），最大功耗15W。其導通電阻低至0.6Ω（Vgs=10V時），工作溫度范圍-55°C至+150°C，具備100V漏源擊穿電壓和2-4V的柵極閾值電壓。動態特性方面，柵極電荷8.1-40nC，開關延遲15-45ns，適用于高頻開關場景。該器件特別適合電源管理、電機驅動及逆變器等需要高壓大電流處理的電子系統，兼具高效能和快速響應特性。