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Solitron Devices SD11714 1200V SiC N溝道功率MOSFET

發(fā)布時間：2025-05-29 09:00:32     瀏覽：1273

　　Solitron Devices 公司的 SD11714 1200V SiC N-Channel Power MOSFET ，采用TO-257 3引腳封裝，低導通電阻(RDS(on))和低柵極電荷(QG)，具有雪崩能力，氣密封裝，適用于高可靠性應用。

Solitron Devices SD11714 1200V SiC N溝道功率MOSFET

　　主要參數(shù)

　　漏源電壓(VDS)：1200V

　　連續(xù)漏極電流(ID)：25°C時為17A

　　導通電阻(RDS(on))：25°C時為160mΩ

　　柵極閾值電壓(VGS(th))：1.8V~3.6V

　　最大功耗(PD)：97W

　　工作溫度(TJ)：-55°C~+175°C

　　體二極管特性

　　正向電壓(VSD)：4.25V

　　反向恢復時間(trr)：34ns

　　反向恢復電荷(Qrr)：197nC

　　應用領域

　　開關電源

　　DC-DC轉(zhuǎn)換器

　　PFC電路

　　電機驅(qū)動

　　機器人控制

更多Solitron Devices SiC MOSFET相關產(chǎn)品信息可咨詢立維創(chuàng)展。

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