九九热播视频-久久青青国产-一区二区三区成人久久爱-81精品国产乱码久久久久久-久久自己只精产国品-亚洲欧美综合另类自拍-成年无码av片完整版-欧美一级三级-亚洲高清色图-亚洲激情视频网-极品白嫩高潮呻吟喷水av-国产精品99一区二区三区-www.一区二区三区在线 | 欧洲-香蕉伊思人视频-久久久久免费精品国产小说色大师-中国挤奶哺乳午夜片-久久精品国产福利国产秒拍-av在线亚洲欧洲日产一区二区-日日免费视频-在线精品小视频

CXOLHT高溫晶體振蕩器16kHz-50MHz STATEK

發布時間：2024-09-13 08:59:11     瀏覽：2221

　　STATEK CXOLHT振蕩器16kHz-50MHz 是一款專為高溫應用設計的高性能石英晶體振蕩器。

圖片5.png

　　特點

　　快速啟動：啟動時間僅為4.0 ms。

　　高沖擊抗擾度：HG類型可達100,000 g。

　　高溫穩定性：高達200°C的溫度穩定性。

　　超低功耗：在基準32.768 kHz時，功耗小于20 μA。

　　低老化：確保長期穩定性。

　　封裝：采用3.2 x 1.5 mm密封陶瓷包裝。

　　應用

　　高溫、工業及航空電子設備

　　井下儀器

　　地下鉆探工具

　　地熱

　　測井鉆孔工具(MWD)

　　封裝尺寸

　　封裝采用3.2x1.5mm密封陶瓷尺寸。

　　規格參數:

Frequency16.384 kHz32.768 kHz4 MHz16 MHz
Supply  Voltage12.5Vto 3.3 V±10%
Calibration  Tolerance2±100 ppm to ±20 ppm
Frequency-Temperature
Stability3,4		±150 ppm to ±125 ppm(25℃ to 150°℃)
±175 ppm to±150 ppm(25℃ to 175℃)
±200 ppm to±175 ppm(25℃ to 200℃)
Typical Supply Current2.5 V
15.4 μA		3.3 V
16.0 μA		2.5 V
9.0 μA		3.3 V
8.2 μA		2.5 V
0.7 mA		3.3 V
1.0 mA		2.5 V
1.3 mA		3.3 V
1.9 mA
Typical Static Current (μA)2.5 V
1.3		3.3 V
1.7		2.5 V
1.3		3.3 V
1.8		2.5V
0.7		3.3 V
1.0		2.5 V
0.7		3.3 V
1.0
Output Load (CMOs)15 pF
Start-up Time,Max(ms)4.0 8.0 5.0 
Rise/Fall Time,Max(ns)12.0 5.0 
Duty Cycle45%MIN     55%MAX
Aging,First Year,Max±5 ppm @25℃
Shock SurvivalSTD:5,000 g,0.3 ms,1/2 sine
HG:up to 100,000 g,0.5 ms,1/2 sine
Vibration  Survival?20 g,10-2,000 Hz swept sine
Operating Temperature Range4-55℃ to+200℃
Storage Temperature Range4-55°C to +125°℃
Max Process Temperature260℃ for 20 seconds
Max Supply VoltageVpp-0.3 V to 4.0V
Moisture Sensitivity Level (MSL)This product is hermetically sealed and is not moisture sensitive


相關推薦：

Statek高溫高沖擊引線振蕩器

Statek小型石英晶體振蕩器

Statek超小型表面貼裝石英晶體頻率10kHz~250MHz 

Statek TS1/TS4溫度傳感器頻率160~350kHz 

Statek HGXOHT工業高沖擊高溫晶體振蕩器

更多Statek晶振相關產品信息可咨詢立維創展。

推薦資訊

  • Solitron Devices SMF460 650V N溝道功率MOSFET
    Solitron Devices SMF460 650V N溝道功率MOSFET 2024-12-30 08:51:50

    Solitron Devices SMF460 MOSFET適用于高電壓、高電流應用（如電源轉換器、電機驅動器和高功率開關電路），關鍵特性包括連續漏極電流10A、導通電阻300mΩ、內置快速恢復二極管、能承受高能量脈沖等；封裝為TO-254密封封裝，有背面隔離，可進行JANTX、JANTXV篩選；絕對最大額定值、電氣規格和熱阻等方面有一系列具體參數，如漏源電壓650V、結溫范圍-55°C至150°C、熱阻1.08°C/W等。

  • Infineon英飛凌JANSR2N7626UBN單P溝道抗輻射MOSFET
    Infineon英飛凌JANSR2N7626UBN單P溝道抗輻射MOSFET 2024-04-11 09:25:34

    JANSR2N7626UBN單P溝道MOSFET具備抗輻射能力，-60V電壓等級，-0.53A輸出電流。特性包括單粒子效應強化、快速切換、低總門電荷、CMOS和TTL兼容。適用于負載點轉換器、同步整流、配電電路等。產品型號：JANSR2N7626UBN。

在線留言

在線留言