MICRON DDR4 內存
發布時間:2021-06-04 17:07:48 瀏覽:2491
MICRON DDR4內存是全新一代的存儲空間標準規范。2011年1月4日,三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲空間,MICRON DDR4和DDR3有三大區別:16位預取機制(DDR3為8位),在同樣內核頻率下,理論研究速度是DDR3的兩倍;傳輸數據標準規范更加安全可靠,數據安全可靠性進一步提升,工作中電壓降為1.2V,更環保節能。
MICRON DDR4是DRAM的下一代演進,提供更強的性能指標和更強大的控制功能模塊,與此同時提高企業、微型服務器、平板電腦和超薄客戶端應用領域的環保節能性。

微型DDR4內存特點:
寬度:x4、X8,x16;
電流電壓:1.2V;
封裝:FBGA、TFBGA;
時鐘頻率:1200MHz、1333MHz、1600MHz;
工作溫度:0℃至+95℃、-40℃至+95℃、-40℃至+105℃、-40℃至+125℃;
深圳市立維創展科技有限公司,以庫存MICRON高可靠性內存顆粒芯片和工業級內存條為特色產品優勢。歡迎咨詢合作。
詳情了解MICRON請點擊:/brand/54.html
或聯系我們的銷售工程師:0755-83050846 QQ: 3312069749
推薦資訊
Q-TECH?的表面貼裝QTCC230振蕩器通過一個3.3Vdc、2.5Vdc和1.8Vdc的IC時鐘方波發生器和一個中小型條型AT石英諧振器組合而成,QTCC230晶體內置入一個超薄型陶瓷封裝中,具有鍍金接觸墊。
QTCV356系列VCXOs(壓控晶體振蕩器)是一款集成了5Vdc或3.3Vdc時鐘方波發生器和微型條形AT石英晶體的低高度陶瓷封裝振蕩器,適用于低電壓應用。其主要特性包括寬頻率范圍(1.000MHz到156.250MHz)、小尺寸(3.2 x 5mm)、支持HCMOS、LVHCMOS、LVPECL邏輯類型、5.0Vdc或3.3Vdc供電電壓、-40oC到+85oC的工作溫度范圍、Tri-State輸出、密封陶瓷封裝、基本和第三泛音設計、符合MIL-PRF-55310標準的軍事級篩選測試,以及無鉛和RoHS合規。該系列產品廣泛應用于槍械發射彈藥和系統、智能彈藥、儀器儀表、以太網/同步、SONET、微處理器時鐘等領域。
在線留言